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半導体１(2007年06月17日)
今日は半導体について勉強したいと思いますが…途中で投げ出しそうです。半導体は仕組みから勉強したいと思いましたが、トランジスタの原理を学ぶ為に、バンド理論を勉強したり、兎に角、大変です。へなへなになりそうなのです。要するに、トランジスタも整流器も発光ダイオードも全て半導体のなかまで、今回はＩＣのチップを組み立てる工程の話を中心に進めます。（まぁ、既に前段階の勉強の部分で挫折気味です。へなへな…）
現在の半導体はシリコンから作られており、シリコンの単結晶を作る過程から入りましょう。この分野での日本のシェアは高く信越化学とＳＵＭＣＯによって、ほぼこの２社により業界は二分されています。、金属不純物が濃度数ｐｐｂ以下（１ｐｐｂ＝１０億分の１）に高純度化された多結晶シリコンを、高純度石英るつぼ内に抵抗率調整用のホウ素（Ｂ）やりん（Ｐ）とともに入れて約１４２０℃で溶融します。ついで、種結晶シリコン棒をシリコン溶液の液面につけ、回転させながら引き上げると、種結晶と同じ原子配列をした単結晶インゴットが造られます現在の主流は２００ミリウェハーですが、最先端は３００ミリウェハーです。そうして写真のような過程を経てインゴットが出来るのです。
今度はこのインゴットを一枚一枚のウェハーにカットし研磨する分野の世界的のトップシェア（６割～７割）を誇るのがディスコです。
次にウェハーの表面を酸化させます。この分野のトップメーカーは東京エレクトロンで二番手が日立国際電気です。
